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原位薄膜應(yīng)力測試儀的主要特點(diǎn)及測試功能

 更新時(shí)間:2021-09-23 點(diǎn)擊量:2314
原位薄膜應(yīng)力測試儀的主要特點(diǎn):

1、MOS 多光束傳感器技術(shù)。

2、單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


3、適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等。


4、薄膜應(yīng)力各向異性測試和分析功能。


5、生長速率和薄膜厚度測量。(選件)


6、光學(xué)常數(shù)n&k 測量。(選件)


7、多基片測量功能。(選件)


8、基片旋轉(zhuǎn)追蹤測量功能。(選件)


9、實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測試點(diǎn)。


10、專業(yè)設(shè)計(jì)免除了測量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響。


原位薄膜應(yīng)力測試儀的測試功能:


1、實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測量。


2、實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測量。


3、實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測量。


4、實(shí)時(shí)原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等。